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Preparation of Porous GaN Buffer and Its Influence on the Residual Stress of GaN Epilayers Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy

Xinhua LI , Kai QIU , Fei ZHONG , Zhijun YIN , Changjian JI , Yuqi WANG , null , null , null , null , null , null

材料科学技术(英)

The preparation of porous structure on the molecular beam epitaxy (MBE)-grown mixed-polarity GaN epilayers was reported by using the wet chemical etching method. The effect of this porous structure on the residual stress of subsequent-growth GaN epilayers was studied by Raman and photoluminescence (PL) spectrum. Substantial decrease in the biaxial stresse can be achieved by employing the porous buffers in the hydride vapour phase epitaxy (HVPE) epilayer growth.

关键词: GaN , vapour , phase , epitaxy

KAI-2093型面阵CCD多模式驱动时序设计

陶明慧 , 张星祥 , 张宇 , 任建岳 , 李新娥

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112601.0105

针对某航空相机的设计要求,提出了一种可行的多模式驱动时序设计方法.采用柯达公司的KAI-2093行间转移型面阵CCD传感器.结合它的结构特点和双通道数据传输的思想分析了传感器驱动时序关系,提出了3种驱动模式:binning、no-binning和TDI模式.以Ahera公司的FPGA芯片EP1C6Q240作为时序发生器并实现数据的缓存和拼接,从而实现了时序发生器与数据处理器的一体化设计.在QUARTUSII7.0开发环境下采用VHDL语言编程,通过Modelsim AE6.1b实现数据缓存器的仿真.实测结果表明,所设计的驱动时序满足KAI-2093的时序要求,binning模式下帧频可达60帧/s,120帧/s等,满足高速跟踪要求;no-binning模式下全帧输出帧频可达30帧/s;TDI模式下能保证CCD长时间工作而不影响成像质量,该没计方法提高了系统的集成度和抗干扰能力.

关键词: 航空相机 , binning模式 , TDI模式 , 数据缓存 , 数据拼接 , FPGA

强旋流中颗粒运动特性的直接数值模拟

桂南 , 樊建人 , 陈松

工程热物理学报

本文采用直接数值模拟计算了Re=669,S=1.42强旋流中的颗粒运动特性.计算的部分流动条件依照SommerfeId & Qiu的实验条件进行模化.模拟的结果揭示了旋流近场的颗粒运动的浓度、速度的时均量和脉动值的统计分布特性.

关键词: 旋流 , 颗粒运动 , 直接数值模拟 , 统计特性

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